日經新聞8月14日消息，日本早稻田大學乘松航教授等人的研究團隊開發出了加熱平整半導體基板表面的方法。比傳統研磨方法更便捷，性能也更高，因此有利于改進半導體的制造工序。團隊利用純電動汽車(EV)等的電力控制所需要的功率半導體材料碳化硅(SiC)進行了確認。碳化硅基板是把晶塊切成薄片來制造，截面上容易形成凹凸，不能直接使用。過去是結合多種方法進行研磨，但存在著內部容易出現損傷、表面形成落差的問題。
日本開發出加熱平整半導體基板表面的方法播
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